| 企业等级： | 普通会员 |
| 经营模式： | 生产加工 |
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LED芯片材料磊晶种类
1.LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
2.VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs
3.MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN
4.SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs
5.DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAs
6.DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAlAs
LED的发光有源层??PN结是如何制成的？哪些是常用来制造LED的半导体材料？
LED的实质性结构是半导体PN结。PN结就是指在一单晶中，具有相邻的P区和N区的结构，连云港LED外延片，它通常在一种导电类型的晶体上以扩散、离子注入或生长的方法产生另一种导电类型的薄层来制得的。
常用来制造LED半导体材料主要有申化家、磷化家、家铝申、磷申化家、铟家氮、铟家铝磷等Ⅲ?Ⅴ族化合物半导体材料，LED外延片价格，其它还有Ⅳ族化合物半导体碳化硅，LED外延片厂家批发，Ⅱ?Ⅵ族化合物硒化锌等。
随着半导体LED技术的发展，其在照明领域的应用也越来越多，特别是白光LED的出现，更是成为半导体照明的热点。
但是关键的芯片、封装技术还有待提高，LED外延片定制厂家，在芯片方面要朝大功率、高光效和降低热阻方面发展。
提高功率意味着芯片的使用电流加大，较为直接的办法是加大芯片尺寸，现在普遍出现的大功率芯片都在1mm×1mm左右，使用电流在350mA.由于使用电流的加大，散热问题成为突出问题，现在通过芯片倒装的方法基本解决了这一文题。
随着LED技术的发展，其在照明领域的应用会面临一个从未有的机遇和挑战。
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