LED模组经销商-LED模组-杰生半导体有限公司

LED芯片大小根据功率可分为小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。根据客户要求可分为单管级、数码级、点阵级以及装饰照明等类别。

至于芯片的具体尺寸大小是根据不同芯片生产厂家的实际生产水平而定，LED模组经销商，没有具体的要求。

只要工艺过关，芯片小可提高单位产出并降低成本，光电性能并不会发生根本变化。

芯片的使用电流实际上与流过芯片的电流密度有关，芯片小使用电流小，芯片大使用电流大，它们的单位电流密度基本差不多。

考虑到散热是大电流下的主要问题，所以它的发光效率比小电流低。另一方面，由于面积增大，LED模组价格，芯片的体电阻会降低，所以正向导通电压会有所下降。

1、什么是外延和外延片？

外延也称为外延生长，是制备高纯微电子复合材料的一工艺过程，就是在单晶（或化合物）衬底材料上淀积一层薄的单晶（或化合物）层。新淀积的这层称为外延层。淀积有外延层的衬底材料叫外延片。

2、哪些材料可以用作生长外延层的衬底材料，它们各自有哪些优缺点？

用得蕞广泛的衬底材料是申化家，可用于生长外延层GaAs、GaP、GaAlAs、InGaAlP，其优点是由于GaAs的晶格常数比较匹配可制成无位错单晶，LED模组，加工方便，价格较便宜。缺点是它是一种吸光材料，对PN结发的光吸收比较多，影响发光效率。

磷化家可生长GaP：ZnO、GaP：N、GaAs、GaAlAs：N以及InGaAlP的顶层，其优点是它是透明材料，可制成透明衬底提高出光效率。

生长InGaN和InGaAlN的衬底主要有蓝宝石（Al2O3）、碳化硅和硅。蓝宝石衬底的优点是透明，有利于提高发光效率，目前仍是InGaN外延生长的主要衬底。缺点是有较大的晶格失配；硬度高，造成加工成本高昂；热导率较低，不利于器件的热耗散，对制造功率led不利。碳化硅衬底有较小的晶格失配，硬度低，易于加工，导热率较高，利于制作功率器件。

一般来说，LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型，LED芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。

比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良，LED模组定制厂家，欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。

在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。

这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。

另外，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。

如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。