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LED的发光有源层??PN结是如何制成的？哪些是常用来制造LED的半导体材料？

LED的实质性结构是半导体PN结。PN结就是指在一单晶中，led外延片报价，具有相邻的P区和N区的结构，led外延片厂家，它通常在一种导电类型的晶体上以扩散、离子注入或生长的方法产生另一种导电类型的薄层来制得的。

常用来制造LED半导体材料主要有申化家、磷化家、家铝申、磷申化家、铟家氮、铟家铝磷等Ⅲ?Ⅴ族化合物半导体材料，其它还有Ⅳ族化合物半导体碳化硅，Ⅱ?Ⅵ族化合物硒化锌等。

1、什么是外延和外延片？

外延也称为外延生长，是制备高纯微电子复合材料的一工艺过程，就是在单晶（或化合物）衬底材料上淀积一层薄的单晶（或化合物）层。新淀积的这层称为外延层。淀积有外延层的衬底材料叫外延片。

2、哪些材料可以用作生长外延层的衬底材料，它们各自有哪些优缺点？

用得蕞广泛的衬底材料是申化家，可用于生长外延层GaAs、GaP、GaAlAs、InGaAlP，其优点是由于GaAs的晶格常数比较匹配可制成无位错单晶，加工方便，价格较便宜。缺点是它是一种吸光材料，对PN结发的光吸收比较多，影响发光效率。

磷化家可生长GaP：ZnO、GaP：N、GaAs、GaAlAs：N以及InGaAlP的顶层，其优点是它是透明材料，可制成透明衬底提高出光效率。

生长InGaN和InGaAlN的衬底主要有蓝宝石（Al2O3）、碳化硅和硅。蓝宝石衬底的优点是透明，有利于提高发光效率，led外延片多少钱，目前仍是InGaN外延生长的主要衬底。缺点是有较大的晶格失配；硬度高，造成加工成本高昂；热导率较低，不利于器件的热耗散，对制造功率led不利。碳化硅衬底有较小的晶格失配，硬度低，易于加工，淮南led外延片，导热率较高，利于制作功率器件。

LED芯片的分类有哪些呢？

TS芯片定义和特点

定义：transparent structure(透明衬底)芯片，该芯片属于HP的专i利产品。

特点：

(1)芯片工艺制作复杂，远高于AS LED。

(2)信赖性卓i越。

(3)透明的GaP衬底，不吸收光，亮度高。

(4)应用广泛。

AS芯片定义与特点

定义：Absorbable structure (吸收衬底)芯片;经过近四十年的发展努力，台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售处于成熟的阶段，各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平，差距不大。

大陆芯片制造业起步较晚，其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距，在这里我们所谈的AS芯片，特指UEC的AS芯片，eg：712SOL-VR， 709SOL-VR， 712SYM-VR，709SYM-VR等。

特点：

(1)四元芯片，采用MOVPE工艺制备，亮度相对于常规芯片要亮。

(2)信赖性优良。

(3)应用广泛。