| 企业等级： | 普通会员 |
| 经营模式： | 生产加工 |
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LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，LED模组经销商，并能满足可接触材料之间较为小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能的多地出光。
渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，4Pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下BZX79C18变成金属蒸气沉积在半导体材料表面。
一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金，N面的接触金属常采用AuGeNi合金。
镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极及焊线压垫的要求。
光刻工序结束后还要通过合金化过程，LED模组批发厂家，合金化通常是在H2或N2的保护下进行。
合金化的时间和温度通常是根据半导体材料特性与合金炉形式等因素决定。
当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂，广东LED模组，需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。
1. 供过于求状态或将持续
经LED芯片行业大洗牌，海外企业与国内二三线芯片厂商产能逐步收缩，国内大厂将依靠资金、技术、规模优势继续大规模扩产高i端产能，LED芯片产能逐步释放，若无明显的需求爆发拉动，供过于求状态或将持续。
2. 优化传统LED芯片业务
对于传统通用照明产品毛利率的降低，LED模组厂家，各家企业将持续优化产品性能、提升可靠性和良率等，以降成本为目标。此外，高附加值、高毛利产品比重将提升。
3. 企业走差异化路线
各大企业将寻找新增长点，走差异化路线：一是加强Mini/Micro LED、UV LED、VCSEL等新兴市场产品的开发，提升高i端产品的营收占比；二是或将重芯转至化合物半导体领域，深化GaAs和GaN材料的研究和应用。
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。
目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。
MOCVD介绍：
金属有机物化学气相淀积(Metal-Organic Chemical Vapor Depoisition，简称 MOCVD)， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。
该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖i端光电子设备，主要用于GaN(氮化家)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业蕞有发展前途的设备之一。
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