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LED芯片大小根据功率可分为小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。根据客户要求可分为单管级、数码级、点阵级以及装饰照明等类别。

至于芯片的具体尺寸大小是根据不同芯片生产厂家的实际生产水平而定，没有具体的要求。

只要工艺过关，芯片小可提高单位产出并降低成本，光电性能并不会发生根本变化。

芯片的使用电流实际上与流过芯片的电流密度有关，芯片小使用电流小，芯片大使用电流大，led模组报价，它们的单位电流密度基本差不多。

考虑到散热是大电流下的主要问题，所以它的发光效率比小电流低。另一方面，由于面积增大，uv led模组多少钱，芯片的体电阻会降低，所以正向导通电压会有所下降。

二次封装LED主要可用于以下几个方面：

(1)应用于广场、公园地下　　由于二次封装LED防护等级达到高的IP68，可用于地下、水下等恶劣环境，被广泛的应用于广场、公园、河道等场所的景观用灯。如武汉的江滩公园玻璃广场地下景观及显示屏照明、杭州西城广场地下灯光带、鄂尔多斯草坪造型照明、诸暨浦阳江河道照明等。照明设计师在设计广场、公园、河道等场所照明时，可以利用二次封装LED该特性，改变传统景观照明设计的局限性，创意出更好的景观照明作品。

(2)应用于桥梁照明　　因二次封装LED点光源外形超薄、材质透明、体积小、重量轻、软线连接的特点，当在桥梁上使用时，与传统的LED数码管和传统的LED点光源相比，不会破坏桥梁的白天效果，非常适合像桥梁这种安装维护难度较高的环境。如：青岛丹山大桥、绍兴常禧桥、南通怡桥。

(3)应用于楼体轮廓及立面幕墙　　以往幕墙照明是一个难以解决的灯照明设计课题，二次封装LED的面世，了这一难题，uv led模组批发，其安装灵活、防水性好、安全节能，是幕墙节点安装的理想灯具。利用电脑控制，设计成广告显示屏形式，既可以作为外墙景观照明的一部分，也可以作为广告显示屏使用。

LED 外延片工艺流程如下：

衬底 - 结构设计- 缓冲层生长- N型GaN 层生长- 多量i子阱发光层生- P 型GaN 层生长- 退火- 检测（光荧光、X 射线） - 外延片；

外延片- 设计、加工掩模版- 光刻- 离子刻蚀- N 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - P 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片- 芯片分检、分级

具体介绍如下：

固定：将单晶硅棒固定在加工台上。

切片：将单晶硅棒切成具有精i确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。

退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。

倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破i裂及晶格缺陷产生，led模组，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。

分档检测：为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。

研磨：用磨片i剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片i剂。

清洗：通过有机i溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机i溶剂。

RCA清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。