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GB芯片定义和特点

定义：Glue Bonding(粘着结合)芯片;该芯片属于UEC的专i利产品。

特点：

(1)透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底，其出光功率是传统AS(Absorbable structure)芯片的2倍以上，宁波led模组，蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。

(2)芯片四面发光，uv led模组批发，具有出色的Pattern图。

(3)亮度方面，uv led模组，其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)。

(4)双电极结构，其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。

外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。

目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。

MOCVD介绍：

金属有机物化学气相淀积(Metal-Organic Chemical Vapor Depoisition，简称 MOCVD)， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。

该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖i端光电子设备，主要用于GaN(氮化家)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业蕞有发展前途的设备之一。

在晶片上生长为外延片的步骤：

在单晶衬底上生长一薄层单晶工艺，称为外延；长有外延层的晶体片称为外延片；外延材料是LED的部分。LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。 外延技术和设备分气相外延、液相外延、金属有机化合物气相外延（MOCVD），目前主流方式为 MOCVD，而 MOCVD 外延炉则是 LED 外延片和芯片制造过程中的蕞重要的设备，led模组厂家，在2008年前后时期，一套 MOCVD 设备需要上千万人民i币左右。

把衬底放到外延炉中，然后控制化合物气体在衬底上沉积，就像植物从地下生长上来一样，化合物沉积到衬底上好像从衬底上生长上来的一样，所以称之为外延片生长。需要生长多层微米级别的不同层。