企业等级: | 普通会员 |
经营模式: | 生产加工 |
所在地区: | 安徽 马鞍山 马鞍山市 |
联系卖家: | 郑先生 先生 |
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公司官网: | .tz1288.com |
公司地址: | 马鞍山经济技术开发区宝庆路399号1栋 |
说到LED芯片行业的发展历史,离不开几个重要的时间节点。2003年6月,中国科技部首i次提出要发展半导体照明;2006年“十一五”将半导体照明工程作为国家的一个重大工程进行推动;2009年开始,中国各地对于LED芯片制造厂商采购MOCVD予以补贴,国内LED芯片厂商收入与净利润增加,同时竞争者数量不断攀升,行业竞争加剧。
2011年国家发改委正式发布中国淘汰白炽灯的公告及路线图,明确提出2016年将全i面禁止白炽灯的销售。2011年至2016年这几年是淘汰白炽灯的过渡期,同时也是LED照明行业的快速发展期。进入 2016 年以后,各大LED芯片厂扩产带来的产能释放,行业洗牌前夕来临。由于产能过剩,LED芯片引起激烈的价格竞争,导致不少芯片厂商营收和净利润双双下降,众多中小厂商被i迫退出市场。
国外厂商也开始调整策略,LED模组批发厂家,对国际大厂来说,他们在技术成熟的LED通用市场已失去明显的竞争优势,切断LED“残腕”或是明智之举,为避免激烈竞争造成的损失扩大。
用于白光的LED大功率芯片一般在市场上可以看到的都在40mil左右,所谓的大功率芯片的使用功率一般是指电功率在1W以上。
由于量i子效率一般小于20%大部分电能会转换成热能,LED模组定制厂家,所以大功率芯片的散热很重要,要求芯片有较大的面积。
制造GaN外延材料的芯片工艺和加工设备与GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求?为什么?
普通的LED红黄芯片和高亮四元红黄芯片的基板都采用GaP、GaAs等化合物半导体材料,一般都可以做成N型衬底。
采用湿法工艺进行光刻,较为后用金刚砂轮刀片切割成芯片。
GaN材料的蓝绿芯片是用的蓝宝石衬底,由于蓝宝石衬底是绝缘的,LED模组供货商,所以不能作为LED的一个极,必须通过干法刻蚀的工艺在外延面上同时制作P/N两个电极并且还要通过一些钝化工艺。由于蓝宝石很硬,用金刚砂轮刀片很难划成芯片。
它的工艺过程一般要比GaP、GaAs材料的LED多而复杂。
在LED芯片制作过程中,把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片,分捡出来,这些就是后面的散晶,此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片,LED模组,也就自然成了边片。
刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试,对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理,这些晶圆片是不能直接用来做LED方片,也就不做任何分检了,直接卖给客户了,也就是目前市场上的LED大圆片(但是大圆片里也有好东西,如方片)。
LED制作流程分为两大部分。
首先在衬低上制作氮化家(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。
准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。
常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,还有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积在衬底表面。
通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例,从而控制镀膜成分、晶相等品质。
MOCVD外延炉是制作LED外延片蕞常用的设备。