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在现阶段白光LED首要经过三种方法完成：

1、选用蓝光LED芯片和荧光粉，由蓝光和黄光两色互补得到白光或用蓝光LED芯片合作赤色和绿色荧光粉，uv led模组，由芯片宣布的蓝光、荧光粉宣布的红光和绿光三色混合取得白光;

2、使用紫外LED芯片宣布的近紫外激起三基色荧光粉得到白光。

3、选用红、绿、蓝三色LED组合发光即多芯片白光LED;

当前使用广泛的是第二种方法，选用蓝光LED芯片和荧光粉，互补得到白光。因而，led模组价格，此种芯片进步LED的流明功率，决议于蓝光芯片的初始光通量及光保持率。

用于白光的LED大功率芯片一般在市场上可以看到的都在40mil左右，所谓的大功率芯片的使用功率一般是指电功率在1W以上。

由于量i子效率一般小于20%大部分电能会转换成热能，所以大功率芯片的散热很重要，要求芯片有较大的面积。

制造GaN外延材料的芯片工艺和加工设备与GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求?为什么?

普通的LED红黄芯片和高亮四元红黄芯片的基板都采用GaP、GaAs等化合物半导体材料，一般都可以做成N型衬底。

采用湿法工艺进行光刻，较为后用金刚砂轮刀片切割成芯片。

GaN材料的蓝绿芯片是用的蓝宝石衬底，由于蓝宝石衬底是绝缘的，湛江led模组，所以不能作为LED的一个极，必须通过干法刻蚀的工艺在外延面上同时制作P/N两个电极并且还要通过一些钝化工艺。由于蓝宝石很硬，用金刚砂轮刀片很难划成芯片。

它的工艺过程一般要比GaP、GaAs材料的LED多而复杂。

蕞近看了不少 LED芯片相关的资料，uv led模组报价，简单介绍下 LED 芯片的结构和制造流程，帮助理解 LED 相关企业的发展情况以及发展前景。

LED 芯片一共包含两部分主要内容，一个是 LED 外延片 — 上图中下面的蓝宝石衬底以及衬底上的氮化家（GaN）缓冲层；一个是在外延片上面用来发光的量i子阱和 PN 电极层。所以 LED 芯片一共涉及三个生产工序：发光外延片生长、芯片生长和制造、芯片封装。

在上面三个工序中，外延片的生长技术含量蕞高、芯片制造次之、而封装又次之。