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LED芯片生产工艺流程

外延片制作出来以后，就可以按照下面的流程来制作 LED 芯片了：

外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→窗口图形光刻→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。

在生长完外延片后，下一步就开始对 LED 外延片做电极（P 极，N 极），接着就开始用激光机切割 LED 外延片（以前切割 LED 外延片主要用钻石刀），制造成芯片，然后在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，看看是否合格。

从上面可以看到 LED 外延片和芯片的生产离不开 MOCVD 、光刻机、刻蚀机、离子注入机、减薄机、划片机、检测设备等高i精尖设备。 LED 芯片产业属于重资产行业，从事该行业需要先重金购买***的生产设备，还需要配置洁净无尘厂房，同时在各个环节还需要大量的工人。所以该行业是典型的：资金密集型、劳动密集型和技术密集型同时具备的产业。

在LED芯片制作过程中，把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片，分捡出来，这些就是后面的散晶，此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片，也就自然成了边片。

刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理，这些晶圆片是不能直接用来做LED方片，也就不做任何分检了，直接卖给客户了，也就是目前市场上的LED大圆片(但是大圆片里也有好东西，如方片)。

LED制作流程分为两大部分。

首先在衬低上制作氮化家(GaN)基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。

准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。

常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。

MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。

通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。

MOCVD外延炉是制作LED外延片蕞常用的设备。

　　LED屏和主板之间的数据传输一般采用的都是串行式数据传输方式(SPI)，再通过信号包复用技术同步传送显示数据和控制数据，但在刷新率和解析度提高的情况下，很容易造成资料传输的瓶颈，导致系统的不稳定。此外，在LED屏屏幕面积较大时，控制线往往也非常长，容易受到电磁干扰，影响传输信号的质量。

　　虽然近年来有些厂商引入了新的传输介质，但如何才能为用户提供真正性能，且***较高的产品方案是困扰产业的一个重点问题。为此，部分厂商提出，LED显示屏的数据传输方式亟待需要从层的技术层面入手，寻找到一种创新的解决方案。

　　值得注意的是，LED屏技术革新已牵涉到产业链的各个环节，包括驱动IC制作工艺的提升、控制系统的硬件化、控制软件的智能化开发等等，这些技术创新需要IC设计厂商、控制系统开发厂商、面板厂商，甚于包括终端用户等更为紧密地结合在一起，共同打破行业应用的“僵局”。特别是在控制系统的开发上，如何与IC设计公司更好地相互协作，提高LED屏的系统性能以及控制软件的智能化水平是当务之急。