杭州led外延片报价品牌企业「杰生半导体」

什么是外延和外延片？

1、什么是外延和外延片？

外延也称为外延生长，是制备高纯微电子复合材料的一工艺过程，就是在单晶（或化合物）衬底材料上淀积一层薄的单晶（或化合物）层。新淀积的这层称为外延层。淀积有外延层的衬底材料叫外延片。

2、哪些材料可以用作生长外延层的衬底材料，它们各自有哪些优缺点？

用得蕞广泛的衬底材料是申化家，可用于生长外延层GaAs、GaP、GaAlAs、InGaAlP，其优点是由于GaAs的晶格常数比较匹配可制成无位错单晶，加工方便，价格较便宜。缺点是它是一种吸光材料，对PN结发的光吸收比较多，影响发光效率。

磷化家可生长GaP：ZnO、GaP：N、GaAs、GaAlAs：N以及InGaAlP的顶层，其优点是它是透明材料，可制成透明衬底提高出光效率。

生长InGaN和InGaAlN的衬底主要有蓝宝石（Al2O3）、碳化硅和硅。蓝宝石衬底的优点是透明，有利于提高发光效率，目前仍是InGaN外延生长的主要衬底。缺点是有较大的晶格失配；硬度高，造成加工成本高昂；热导率较低，不利于器件的热耗散，对制造功率led不利。碳化硅衬底有较小的晶格失配，硬度低，易于加工，导热率较高，利于制作功率器件。

外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。

目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。

MOCVD介绍：

金属有机物化学气相淀积(Metal-Organic Chemical Vapor Depoisition，简称 MOCVD)， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。

该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖i端光电子设备，主要用于GaN(氮化家)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业蕞有发展前途的设备之一。

   国家对ＬＥＤ产业的发展也给予了大力支持。２００６年，根据我国半导体照明产业的发展现状，有关部门制定半导体照明产业发展计划和２００６年技术发展路线图提出，对于ＬＥＤ芯片的投资将占ＬＥＤ产业投资的２０％，研究重点将放在ＧａＮ芯片的生产以及功率芯片的研发上。

   虽然拥有极大的市场需求并得到有关部门的大力支持，但不可否认的是，现阶段ＬＥＤ芯片产业仍然存在***技术缺乏、人才短缺、产品质量不高、设备自主生产能力弱等发展困境。如何解决上述问题是我国ＬＥＤ产业能否持续健康快速发展的关键。

   王莹认为，ＬＥＤ芯片产业的快速发展将助推ＬＥＤ产业整体升级。在ＬＥＤ芯片产业的发展过程中，早期产品主要以普通亮度芯片为主，生产厂商也只有南昌欣磊等少数几家。２００３年以后，以厦门三安、大连路美为代表的芯片生产企业针对芯片市场的需求，纷纷把产品重点集中到高亮度芯片上，直接带动了高亮度芯片产量的快速增长。一时间，国内掀起了ＬＥＤ芯片产业发展的热潮，高亮度芯片成为ＬＥＤ芯片产业发展的主要推动力。２００６年，我国ＬＥＤ芯片产量达到３０９．３亿个，产值达到１１．９亿元。

   随着ＬＥＤ芯片生产企业的不断增多，ＬＥＤ芯片产值的增长速度一直高于封装环节，导致芯片产值在我国ＬＥＤ产业产值中所占比重不断提升，由２００２年的５．４％上升至２００６年的１１．３％。由此可见，我国ＬＥＤ产业正在由低端走向，向附加值更高、更具***价值的芯片环节迈进。

   据王莹预测，２００８年高亮度芯片产量将超过普通亮度芯片，ＬＥＤ芯片产业进入高亮度时代。在很长一段时间内，企业将会把投资重点放在高亮度芯片的生产上。