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LED芯片生产工艺流程

外延片制作出来以后，就可以按照下面的流程来制作 LED 芯片了：

外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→窗口图形光刻→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。

在生长完外延片后，下一步就开始对 LED 外延片做电极（P 极，N 极），接着就开始用激光机切割 LED 外延片（以前切割 LED 外延片主要用钻石刀），制造成芯片，然后在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，看看是否合格。

从上面可以看到 LED 外延片和芯片的生产离不开 MOCVD 、光刻机、刻蚀机、离子注入机、减薄机、划片机、检测设备等高i精尖设备。 LED 芯片产业属于重资产行业，从事该行业需要先重金购买***的生产设备，还需要配置洁净无尘厂房，同时在各个环节还需要大量的工人。所以该行业是典型的：资金密集型、劳动密集型和技术密集型同时具备的产业。

LED外延片生长的基本原理

LED外延片是一块加热至适当温度的衬底基片，材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。

LED外延片生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。

LED外延片衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。

LED芯片制造工序中，哪些工序对其光电性能有比较重要的影响?

一般来说，LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型，LED芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。

比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良，欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。

在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。

这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。

另外，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。

如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。

　　LED屏和主板之间的数据传输一般采用的都是串行式数据传输方式(SPI)，再通过信号包复用技术同步传送显示数据和控制数据，但在刷新率和解析度提高的情况下，很容易造成资料传输的瓶颈，导致系统的不稳定。此外，在LED屏屏幕面积较大时，控制线往往也非常长，容易受到电磁干扰，影响传输信号的质量。

　　虽然近年来有些厂商引入了新的传输介质，但如何才能为用户提供真正性能，且***较高的产品方案是困扰产业的一个重点问题。为此，部分厂商提出，LED显示屏的数据传输方式亟待需要从层的技术层面入手，寻找到一种创新的解决方案。

　　值得注意的是，LED屏技术革新已牵涉到产业链的各个环节，包括驱动IC制作工艺的提升、控制系统的硬件化、控制软件的智能化开发等等，这些技术创新需要IC设计厂商、控制系统开发厂商、面板厂商，甚于包括终端用户等更为紧密地结合在一起，共同打破行业应用的“僵局”。特别是在控制系统的开发上，如何与IC设计公司更好地相互协作，提高LED屏的系统性能以及控制软件的智能化水平是当务之急。